3D-Micromac为microDICE TLS激光系统引入了新的Clean Scribe技术

　　3D Micromac，在激光微加工和卷对卷式激光加工为光伏行业，医疗技术和电子制造系统的领先供应商，已经推出了新的专利正在申请今天抄写清洁技术。

　　Clean Scribe技术是一种可以实现碳化硅晶圆无颗粒激光洗涤的工艺 - 无需使用昂贵的晶圆保护涂层。清理抄写技术在3D Micromac的microDICE?-Lasermikrobearbeitungssystem其中（热激光束分离）用于使用TLS-切割?工艺的晶片的快速，成本有效的无缺陷的分离成芯片。吞吐量不会受到使用新型Clean-Scribe技术的影响。斯图加特激光加工展览会

　　“混合动力和电动汽车，提高燃油性能和驾驶员的安全使用电子车辆系统中增加的消费需求也推动了对空气中的SiC基器件的需求，”汉斯 - 乌尔里希·Zühlke，产品经理在3D Micromac说明。“实现电力电子元件生产的最高收益是首要任务。同时降低SiC电力电子制造工艺的成本，我们正在推动这些先进技术的推广。我们新的Clean Scribe技术是3D Micromac愿意继续开发我们的TLS切割工艺以获得更高收益的最新示例，

　　激光划片技术的新途径

　　划线是切割晶圆的基本方法。3D-Micromac的激光微加工（TLS）是一个两步过程，首先通过切割线中的激光烧蚀插入初始划线。通常情况下，这种“干式”激光划片过程会在晶圆表面产生少量颗粒。在第二步中，CW激光器沿着该划线加热材料。同时，去离子水（DI）气溶胶冷却晶片表面。这导致了晶片的分裂。

　　为了提高间隙的可靠性和直线度，可以在切割道路的整个长度上将初始划线插入材料中。这种一致的划线可以导致更高的颗粒数量，对于某些特别苛刻的SiC应用来说这可能太高。为避免这种情况，早些时候激光划线的速度可能会受到抑制，或者施加额外的晶片涂层以避免颗粒落在切割线上。后者增加了分离过程的复杂性并且还导致更高的制造成本。

　　3D Micromac的新的清洁抄写技术使用申请专利的激光划片工艺，其中聚酰亚胺和金属颗粒消除在切割道和一个实际上不含粒子的表面 - 无需使用昂贵的保护涂层 - 保证。清洁抄写技术取代的“干” Laserscribe，通过利用使用去离子（DI）水的极少量（小于20毫升/分钟），以除去激光烧蚀过程中形成的粒子的气溶胶喷雾。由于TLS工艺也使用去离子水分离晶圆，因此不需要额外的系统或消耗品进行清洁划片技术。Clean Scribe可以实现这些结果，而不会产生吞吐量损失 - 因此可以实现高达每秒300毫米的分离速度。因此给出了3D-Micromac的microDICE系统中Clean Scribes与TLS方法的兼容性。

　　与传统的晶圆分离技术相比，TLS Dicing保证了更高的产量，更高的产量和更强大的功能。因此，与机械圆锯相比，TLS的吞吐量高达15倍。基于激光的TLS工艺非接触式工作，无需接触工具，不需要昂贵的耗材进行表面清洁。这样可以在SiC器件的制造过程中节省大量成本。

　　与所述清洁抄写技术组合，所述TLS-切割完美的碳化硅的分离碳化硅（SiC），用于与传统技术切割晶片合适合适由特别硬而脆的材料仅部分。因此，3D-Micromac的microDICE系统是用于处理电力电子，太阳能逆变器和光电子的基于SiC的组件的不可或缺的工具。